一、课题组简介
实验室简介：浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室专注于宽禁带半导体材料相关的基础研究，重点突破以碳化硅、氧化镓和金刚石为代表的宽禁带半导体的生长、加工、外延及成套装备，解决一系列宽禁带半导体领域的“卡脖子”技术难题，推动宽禁带半导体材料的快速发展，提高我国在宽禁带半导体领域的国际竞争力和影响力。研究室以中科院院士杨德仁教授、皮孝东教授为学术带头人，已有成员50多人。拥有中国科学院院士1人、浙江大学和浙江大学杭州科创中心双聘教授2人、科创百人5人、博士后和技术开发专家21人，工程师13人，博士占比54%。研究室成立至今在Advanced Functional Materials、Physical Review Applied、Applied Physics Letters、ACS Applied Materials and Interfaces、Journal of Materials Chemistry A、 Journal of Materials Chemistry C、Advanced Electronic Materialsl等国际期刊发表SCI论文40余篇，申请国家发明专利70余项，其中授权12项，申请实用新型专利30余项，其中授权17项。
主要负责人简介：王蓉，求是科创学者（“科创百人计划”研究员），浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。长期从事宽禁带半导体中的杂质与缺陷研究。主持国家自然科学基金青年科学基金项目、中国博士后科学基金面上项目、科学挑战计划专题等科研项目，作为学术骨干参与浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划。发表学术论文50余篇（其中第一/通讯作者24篇），获授权专利12项。
二、重点引进方向:
碳化硅基外延结构的制备及应用：
1. 碳化硅同质外延及表征测试；
2. 碳化硅外延薄膜的生长动力学研究；
3. 基于碳化硅同质外延薄膜的电子、光学器件研究。
碳化硅中杂质与缺陷研究：
1. 碳化硅的掺杂物理；
2. 碳化硅中缺陷（如点缺陷、位错、层错、晶界）的产生及演变机理；
3. 碳化硅中杂质与缺陷的电子、光学性质；
4. 半导体单晶生长、加工及相关过程的分子动力学仿真。
三、申请条件
1.近三年内已获得或即将获得物理、材料、微电子、光电等相关专业的博士学位；年龄不超过35周岁；
2.品学兼优，身心健康，具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力；
3.近三年内以第一作者或通讯作者发表 2 篇以上高质量研究论文或专利；
4.能够全职从事博士后工作。
四、待遇及保障条件
1.根据科研工作能力提供具有竞争力的薪酬（含地方政府人才补助），具体面议（应届博士毕业生另可获得杭州市应届生生活补贴10万元）；
2.对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，杭州市、萧山区分别给予相应配套资助；
3.提供一流的实验与科学研究条件；
4.协助申请杭州市、萧山区人才配套用房；
5.工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心“求是科创学者”岗位或技术开发岗位；
6.在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称，并可获得地方政府80万人才补贴。
五、申请材料
1.个人简历；
2.表明研究能力和学术水平的成果（如：获奖情况、鉴定、项目、学术论文等）及佐证材料；
3.博士学位论文。
申请人将以上材料电子版发送至科创中心人力资源部邮箱：rong_wang@zju.edu.cn，附件和邮件主题均以“王蓉课题组+博士后+姓名+高校人才网”标明。【快捷投递：点击下方“立即投递/投递简历”，即刻进行职位报名】
六、联系方式
联系人：徐老师
联系电话：0571-82491973
地址：
①水博园区地址：杭州市萧山区平澜路2118号。
②信息港园区地址：杭州市萧山区建设三路733号。
