招聘 岗位 |
专任副研究员1名(所属任务:3-5nm) |
岗位 职责 |
1.FinFET及GAA器件的设计及工艺整合。 2.SiGe材料外延工艺开发。 3.面向先进工艺的DTCO技术研究。 |
招聘条件 |
1.拥护党和国家的各项方针政策,遵守法律法规,品行端正;身体健康,心理素质良好;爱岗敬业,恪守学术规范和职业道德。 2.具有微电子、物理、材料相关专业/学科博士学位。 3.年龄一般在40周岁以下。 4.须具有副高级专业技术职务任职资格或海外人员达到相应水平,或任务特需的,具有中级专业技术职务任职资格(获聘后按中级专业技术职务任职资格认定) 5.精通半导体器件物理以及集成电路工艺,具有丰富的半导体器件和工艺开发经验,包括EBL/刻蚀/外延/ALD/CVD,器件/工艺仿真等。 6.具有重大项目研究经历者优先。 |
招聘 范围 |
校内、外 |
岗位 待遇 |
1.与学校签订劳动合同,可申请学校相关住房。 2.提供有市场竞争力的薪资待遇和优越的科研环境。 3.符合相关条件的,可按照学校规定申请子女入托入学。 |
应聘 程序 |
1.应聘者发送个人简历(包括学习研究经历、发表论文列表、既往研究成果、未来研究计划等)至qyx@fudan.edu.cn,抄送到xu_min@fudan.edu.cn(邮件标题注明:应聘某某岗位+本人姓名+高校人才网)。 2.择优安排面试。 3.拟聘用者报学校审批。 |
联系 方式 |
邮箱:xu_min@fudan.edu.cn |
截止 日期 |
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备注 |
订立聘用合同或者劳动合同以前有下列情形的,不予录用: (1)受过刑事处罚、行政拘留处罚,或者因涉嫌违法正在接受有关部门调查,尚未作出结论的; (2)受到党(团)纪、政纪处分,处分尚未解除,或者因涉嫌违纪正在接受有关单位调查,尚未作出结论的; (3)违反高等学校教师职业行为规范的; (4)在应聘过程中违背诚实信用或者社会公序良俗的; (5)其他不符合聘用条件的情形。 |
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来源链接:
https://hr.fudan.edu.cn/af/09/c